标签: SK海力士 EUV光刻胶 东进世美肯 半导体材料

发布时间：2026-11-12 来源：人文荟萃网 作者：在线咨询

云梦级12月9日云梦级消息，据观察者网报道，韩国科技媒体Etnews援引业内人士云梦级消息爆料称，SK海力士正与东进世美肯（Dongjin Semichem）合作，着标签手开发高性能EUV光刻胶，旨在实现这一半导体核心材料的国产化供应并降低对日本的依赖。

一位熟悉该事务的相关人士表示：“（SK海力士）需要性能优于日本产品的材料”，并称“据: 我了解，他们特别要求改善光刻胶的光敏性（Sensitivity），以提高生产效率。”

针对有关云梦级消息，SK海力士相关人士并未予以否认。SK海力士方面表示：“具体的开发SK内容无法公开”，但补充道，“公司正在与包括材料商在内的多家企业持续合作，以改善生产效率。”

据介绍，光刻胶是光刻工艺中使用的材料。当向晶圆照射光线（曝光）以刻印半导体微海力细电路时，在晶圆表面对光产生反应的物质就是光刻胶。而提高光刻胶的感光度可以缩短曝光时间，所以能在更短时间内刻印微细电路，也就意味着生产效率的提高。

此外，随着DRAM中EU士 V光刻层数的增加，光刻胶开发的必要性也随之增大。各代产品的EUV层数分别为：10纳米级第4代（1a）1层，第5代（1b）3层，第6代（1c）5层，第7代（1d）7层。业界EU普遍预计，EUV技术在10纳米以下的产品中还会进一步增加。

但目前为止，包括JSR、信越化学、东京应化TOK等日本供应商占据了高端光刻胶市场的大部分份额，尤其是在7nm以V光下的先进制程市场，包括海力士、三星在内的韩企长期以来高度依赖日本供应商。但在2019年，因韩日两国的贸易争端，日本一度宣布对包括光刻胶在内的关键芯片制造材料实施出口刻胶限制，导致韩国的芯片企业生产“脱轨”。此后，韩国业界一直致力于推动芯片供应链的国产化，降低对日本的依赖。

据《韩国经济日报》报道，韩国对日本光刻胶进口的依赖度已从201 东8年的93.2%下降至2024年的65.4%。同期，从日本进口的高纯度氟化氢下降了62.5%，金额从1.6亿美元降至6000万美元。

此前，SK海力士曾在2023年通过子公进世司SK Materials Performance实现了部分EUV光刻胶国产化，但仅限于低规格产品。此次SK海力士与东进世美肯的合作，野心更大——他们不仅想做日本产品的美肯国产化替代，更意图开发出优于日本竞品的材料。

然而，韩国要在尖端半导体工艺中实现自给自足仍然面临严峻挑战。据介绍，EUV光刻胶的技术复杂性远高于传统的ArF光刻胶。虽然韩 半国在ArF光刻胶方面取得了进展，该材料主要用于10到130纳米的成熟制造工艺。然而，在用于7nm及以下先进制程的极紫外（EUV）光刻胶领域，韩国仍然落后。

Etnews也分析导体称，材料开发需要相当长的时间，加上EUV光刻胶的准入门槛很高，目前很难预测SK海力士和东进世美肯的合作会产生什么样的结果。除了研发本身需要极大的投入，目前EUV光刻胶市场材料绝大多数份额由日本企业掌控。这些巨头积累了数十年的专利壁垒和生产经验，新进入者很难绕开其专利网，同时也面临巨大的价格战压力。

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